onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA Oberfläche SOD-323 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 690-0000P
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS16HT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SOD-323 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 36A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 6ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 900μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SOD-323 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 36A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 6ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 900μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleinsignal-Schaltdioden, ON Semiconductor
Standards
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.