Infineon Schaltdiode Einfach 8.0 A 650 V TO-220 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-2947
- Herst. Teile-Nr.:
- IDP08E65D1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 8.0A | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 64.0A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 51ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56.0W | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | EmitterControlledDiodeRapid1 | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 8.0A | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.35V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 64.0A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 51ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56.0W | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie EmitterControlledDiodeRapid1 | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Die emittergesteuerten Leistungs-Siliziumdioden von Infineon in einem TO-220 real 2-poligen Gehäuse eignen sich perfekt für Leistungsfaktorkorrektur-Topologien (PFC), die typischerweise in großen Haushaltsgeräten wie Klimaanlagen und Waschmaschinen zu finden sind.
Höchster Weichheitsfaktor für ultimative Weichheit und geringe EMI-Filterung
Für Anwendungen, die zwischen 18 kHz und 40 kHz umschalten
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