ROHM Silizium-Verbindung Einfach 500 mA 200 V Oberfläche TO-252GE 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
223-6293P
Herst. Teile-Nr.:
RF501BGE2STL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Maximaler Durchlassstrom If

500mA

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Diodenkonfiguration

Einfach

Subtyp

Siliziumverbindung

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TO-252GE

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

200V

Spitzensperrverzögerungszeit trr

25ns

Maximale Durchlassspannung Vf

0.92V

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

RF501BGE2S

Länge

10mm

Breite

6.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm Diode mit extrem schneller Erholung wird hauptsächlich für allgemeine Gleichrichtung verwendet. Er hat eine Sperrspannung von 200 V.

Geringe Schaltverluste

Niedrige Durchlassspannung

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