ROHM Silizium-Verbindung Einfach 500 mA 200 V Oberfläche TO-252GE 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
223-6292
Herst. Teile-Nr.:
RF501BGE2STL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Maximaler Durchlassstrom If

500mA

Diodenkonfiguration

Einfach

Montageart

Oberfläche

Subtyp

Siliziumverbindung

Gehäusegröße

TO-252GE

Pinanzahl

3

Maximale Durchlassspannung Vf

0.92V

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

200V

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

40A

Betriebstemperatur min.

-55°C

Spitzensperrverzögerungszeit trr

25ns

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

RF501BGE2S

Breite

6.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm Diode mit extrem schneller Erholung wird hauptsächlich für allgemeine Gleichrichtung verwendet. Er hat eine Sperrspannung von 200 V.

Geringe Schaltverluste

Niedrige Durchlassspannung

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