Infineon Silizium-Verbindung Einfach 30 A 600 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 218-4375
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW30E60FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 30A | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Emittergesteuerte Diode | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 600V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 143ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.65V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 150A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Serie | IDW30E60 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 30A | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Emittergesteuerte Diode | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 600V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 143ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.65V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 150A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 41.42mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Serie IDW30E60 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Schalt-Emitter-Controller-Leistungssiliziumdiode der Infineon Serie IDW in einem TO-247-Gehäuse wurde in erster Linie für Motorantriebsanwendungen bis 30 kHz entwickelt. Er hat einen Durchlassstrom von 120 A.
Niedrigste Durchlassspannung
Zugelassen gemäß JEDEC-Standard
Kühlergehäuse und höhere Effizienz
Ausgezeichnetes EMI-Verhalten
Ausgezeichneter Kompromiss zwischen Kosten und Leistung
Geringe Leitungsverluste
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