onsemi Schaltdiode Einfach 23.4 A 650 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 202-7286
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSD2065B
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 23.4A | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 763A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler Durchlassstrom If 23.4A | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 763A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.41mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Die on Semiconductor Siliziumkarbid (Sic) Schottky-Dioden verwenden eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern.
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
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