Teile-Nr.

Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 180-8755
Herst. Teile-Nr.:: BAS21-E3-08
Hersteller:: Vishay

Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin

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RS Best.-Nr.:: 180-8755
Herst. Teile-Nr.:: BAS21-E3-08
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Silizium-Diode
	Diodenkonfiguration	Einfach
	Maximaler Durchlassstrom If	200mA
	Montageart	Oberfläche
	Subtyp	Siliziumdiode
	Gehäusegröße	SOT-23
	Pinanzahl	3
	Maximale Durchlassspannung Vf	1.25V
	Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm	200V
	Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm	2.5A
	Betriebstemperatur min.	-65°C
	Spitzensperrverzögerungszeit trr	50ns
	Maximale Verlustleistung Pd	250mW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.1mm
	Breite	2.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.15mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Silizium-Diode
	Diodenkonfiguration Einfach
	Maximaler Durchlassstrom If 200mA
	Montageart Oberfläche
	Subtyp Siliziumdiode
	Gehäusegröße SOT-23
	Pinanzahl 3
	Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V
	Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V
	Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2.5A
	Betriebstemperatur min. -65°C
	Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns
	Maximale Verlustleistung Pd 250mW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.1mm
	Breite 2.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.15mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay Schaltdiode

Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 250 V Rückspannung und 100 nA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 200 mA und eine Durchlassspannung von 1,25 V.

Eigenschaften und Vorteile

• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium

• Markierungstyp ist A82

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Die Verlustleistung beträgt 250 mW

• Die Wiederherstellungszeit beträgt 50 ns

• SMD-Gerät

Anwendungen

• Schnelle Schaltgeräte

Zertifizierungen

• AEC-Q101

• E3-zertifiziert

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