Nexperia Diode Serie 200 mA 100 V Oberfläche US 6-Pin

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ROHM Schaltdiode Isoliert 200 mA 80 V Oberfläche US 6-Pin
RS Best.-Nr.
218-2273

1 Stück (auf Rolle zu 3000)

€ 414,00

(ohne MwSt.)

€ 496,80

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
170-8062
Herst. Teile-Nr.:
BAV99S,135
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Maximaler Durchlassstrom If

200mA

Diodenkonfiguration

Serie

Produkt Typ

Diode

Subtyp

Schaltdiode

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

US

Pinanzahl

6

Spitzensperrverzögerungszeit trr

4ns

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Maximale Durchlassspannung Vf

1.25V

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

4A

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

100V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35mm

Serie

BAV99

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.

Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.

Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten

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