Nexperia Schaltdiode Serie 125 mA 90 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 170-7979
- Herst. Teile-Nr.:
- BAW56,235
- Hersteller:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 170-7979
- Herst. Teile-Nr.:
- BAW56,235
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Diodenkonfiguration | Serie | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 125mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Schaltdiode | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 90V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BAW56 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Diodenkonfiguration Serie | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 125mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Schaltdiode | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 90V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BAW56 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.
Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten
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