Vishay Silizium-Verbindung Gemeinsame Kathode 10 A 200 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-6369
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-10CWH02FNTR-M3
- Hersteller:
- Vishay
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- VS-10CWH02FNTR-M3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Gemeinsame Kathode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 10A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 27ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.15V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 80A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Gemeinsame Kathode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 10A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 27ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.15V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 80A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
FRED Pt®-Gleichrichter, hyperschnell
Die Produktserie FRED Pt® (Fast Recovery Epitaxial Diode) von Vishay umfasst hyperschnelle Dioden mit Platin-Doping-Technologie (Pt). Diese Serie bietet extrem niedrige Leckströme bei hohen Temperaturen sowie eine hohe maximale Verbindungstemperatur von 175 °C. Typische Erholzeiten sind 35 nds oder weniger.
Funktionen der Serie
Funktionen der Serie
VRRM von 200 V bis 600 V
Niedrigste Qrr bei 125 °C
Niedrigste VF bei IF
Verbesserte Effizienz in Schaltnetzteilen
Soft Recovery für geringere elektromagnetische Störungen bei hohen dIF/dt
TJ (max.) 175 °C
AEC-Q101-qualifiziert
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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