Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 215 mA 100 V Oberfläche SOD-523 2-Pin

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Vorübergehend ausverkauft
RS Best.-Nr.:
508-282
Herst. Teile-Nr.:
BAS516,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Diodenkonfiguration

Einfach

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Maximaler Durchlassstrom If

215mA

Subtyp

Siliziumverbindung

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOD-523

Pinanzahl

2

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

100V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Spitzensperrverzögerungszeit trr

4ns

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

4A

Maximale Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

BAS516

Höhe

0.65mm

Länge

1.25mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Schnelles Schalten. Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.

Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.

Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige KapazitätNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VSich wiederholende maximale Sperrspannung: VRRM ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten

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