onsemi Silizium-Verbindung Gemeinsame Kathode 6 A 200 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 463-555P
- Herst. Teile-Nr.:
- MURD620CTT4G
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Gemeinsame Kathode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 6A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 50A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 35ns | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Gemeinsame Kathode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 6A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 50A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 35ns | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gleichrichterdioden, 4 A bis 9 A, ON Semiconductor
Standards
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.
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