- RS Best.-Nr.:
- 184-4308
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ2955G
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 184-4308
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ2955G
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MX
Informationen zur Produktgruppe
Der bipolare PNP-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltverstärkeranwendungen entwickelt. Die Modelle 2N3055 (NPN) und MJ2955 (PNP) sind komplementäre Geräte.
DC-Stromverstärkung - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC = 4 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich
Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC = 4 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | PNP |
DC Kollektorstrom max. | –15 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | -70 V |
Gehäusegröße | TO-204AA |
Montage-Typ | THT |
Verlustleistung max. | 115 W |
Gleichstromverstärkung min. | 20 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V dc |
Basis-Emitter Spannung max. | 7 V dc |
Arbeitsfrequenz max. | 1 MHz |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +200 °C |
Abmessungen | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |