OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 922-3198
- Herst. Teile-Nr.:
- TLC277ID
- Hersteller:
- Texas Instruments
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 922-3198
- Herst. Teile-Nr.:
- TLC277ID
- Hersteller:
- Texas Instruments
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 5 → 15 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 1.7MHz | |
| Flankensteilheit typ. | 3.6V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Spannungsverstärkung typ. | 87,2 dB | |
| Abmessungen | 4.9 x 3.91 x 1.58mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.58mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 25nV/√Hz | |
| Breite | 3.91mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 5 → 15 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 1.7MHz | ||
Flankensteilheit typ. 3.6V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Spannungsverstärkung typ. 87,2 dB | ||
Abmessungen 4.9 x 3.91 x 1.58mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.58mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 25nV/√Hz | ||
Breite 3.91mm | ||
Präzisions-LinCMOS-Operationsverstärker
Die Präzisions-Zweifachbetriebsverstärker TLC277 von Texas Instruments kombinieren eine Vielzahl von Eingangs-Offset-Spannungsgraden mit niedriger Offset-Spannungsabweichung, hoher Eingangsimpedanz, geringem Rauschen und Geschwindigkeiten, die denen von universellen BiFET-Geräten nahe kommen. Diese Geräte verwenden die Silizium-Gate-LinCMOS-Technologie, die eine Offset-Spannungsstabilität bietet, die weit über die bei herkömmlichen Metall-Gate-Prozessen verfügbare Stabilität hinausgeht.
Getrimmte Offsetspannung: TLC277 500 uV max. Bei 25 °C, VDD = 5 V
Abweichung der Eingangs-Offsetspannung typischerweise 0,1 μV/Monat, einschließlich der ersten 30 Tage
Großer Bereich von Versorgungsspannungen über den angegebenen Temperaturbereich: 0 °C bis 70 °C...3 V bis 16 V, -40 °C bis 85 °C...4 V bis 16 V, -55 °C bis 125 °C...4 V bis 16 V
Betrieb mit einfacher Versorgungsspannung
Common-Mode-Eingangsspannungsbereich verlängert sich unter der negativen Schiene (C-Suffix, I-Suffix-Typen)
Rauscharm...Normalerweise 25 nV/Hz bei f = 1 kHz
Ausgangsspannungsbereich umfasst negative Schiene
Hohe Eingangsimpedanz...1012 typ
ESD-Schutzschaltung
Small Outline-Gehäuseoption auch erhältlich in Band und Rolle
Entwerfer-in-Latch-Up-Störfestigkeit
Abweichung der Eingangs-Offsetspannung typischerweise 0,1 μV/Monat, einschließlich der ersten 30 Tage
Großer Bereich von Versorgungsspannungen über den angegebenen Temperaturbereich: 0 °C bis 70 °C...3 V bis 16 V, -40 °C bis 85 °C...4 V bis 16 V, -55 °C bis 125 °C...4 V bis 16 V
Betrieb mit einfacher Versorgungsspannung
Common-Mode-Eingangsspannungsbereich verlängert sich unter der negativen Schiene (C-Suffix, I-Suffix-Typen)
Rauscharm...Normalerweise 25 nV/Hz bei f = 1 kHz
Ausgangsspannungsbereich umfasst negative Schiene
Hohe Eingangsimpedanz...1012 typ
ESD-Schutzschaltung
Small Outline-Gehäuseoption auch erhältlich in Band und Rolle
Entwerfer-in-Latch-Up-Störfestigkeit