onsemi Operationsverstärker Rauscharm SMD TSSOP, biplor typ. ±2.5 → ±18V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 808-4090
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33179DTBR2G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Verstärker-Typ | Rauscharm | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 5MHz | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±2.5 → ±18V | |
| Flankensteilheit typ. | 2V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Spannungsverstärkung typ. | 106 dB | |
| Rail to Rail | Nein | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Abmessungen | 5.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 8nV/√Hz | |
| Breite | 4.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Verstärker-Typ Rauscharm | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Stromversorgungs-Typ Dual | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 1 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 5MHz | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±2.5 → ±18V | ||
Flankensteilheit typ. 2V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Spannungsverstärkung typ. 106 dB | ||
Rail to Rail Nein | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Abmessungen 5.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 8nV/√Hz | ||
Breite 4.5mm | ||
Energiesparende, rauscharme Operationsverstärker MC33178, MC33179, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker der Serie MC33178/9 von OM Semiconductor verwenden bipolare Technologie für die hochwertige Audio- und Datensignalverarbeitung.
Sie sind mit Hochfrequenz-PNP-Eingangstransistoren ausgestattet und bilden so Verstärker mit niedriger Eingangs-Offset-Spannung sowie geringem Rauschen und geringer Verzerrung.
Außerdem bieten sie eine hohe Stromtreiberfähigkeit am Ausgang und nehmen nur 420 μA Drain-Strom je Verstärker auf. Wahlweise erhältlich in zwei- und vierfacher Ausführung in DIP- und SOIC-Gehäusen.
Sie sind mit Hochfrequenz-PNP-Eingangstransistoren ausgestattet und bilden so Verstärker mit niedriger Eingangs-Offset-Spannung sowie geringem Rauschen und geringer Verzerrung.
Außerdem bieten sie eine hohe Stromtreiberfähigkeit am Ausgang und nehmen nur 420 μA Drain-Strom je Verstärker auf. Wahlweise erhältlich in zwei- und vierfacher Ausführung in DIP- und SOIC-Gehäusen.
600 W Ausgangstreiberfähigkeit
Großes Ausgangsspannungsschwingen
Geringe Offset-Spannung: 0,15 mV (Mittel)
Niedrige harmonische Gesamtverzerrung: 0,0024 % (@ 1 kHz, 600 W Last)
Hohe Bandbreite: 5 MHz
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 2 V/μs
Zweifach-Spannungsversorgung: ±2 V bis ±18 V
ESD-Klemmen an den Eingängen
Großes Ausgangsspannungsschwingen
Geringe Offset-Spannung: 0,15 mV (Mittel)
Niedrige harmonische Gesamtverzerrung: 0,0024 % (@ 1 kHz, 600 W Last)
Hohe Bandbreite: 5 MHz
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 2 V/μs
Zweifach-Spannungsversorgung: ±2 V bis ±18 V
ESD-Klemmen an den Eingängen
Operationsverstärker, ON Semiconductor
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