onsemi Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ. 5 → 28 V, biplor typ. ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V,
- RS Best.-Nr.:
- 689-6728
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33072DR2G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual, Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 5 → 28 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 4.5MHz | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V | |
| Flankensteilheit typ. | 13V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Spannungsverstärkung typ. | 100 dB | |
| Rail to Rail | Nein | |
| Länge | 5mm | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 32nV/√Hz | |
| Breite | 4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Stromversorgungs-Typ Dual, Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 5 → 28 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 4.5MHz | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V | ||
Flankensteilheit typ. 13V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Spannungsverstärkung typ. 100 dB | ||
Rail to Rail Nein | ||
Länge 5mm | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 32nV/√Hz | ||
Breite 4mm | ||
Operationsverstärker MC33071/2/4, MC34071/2/4, NCV33072/4, einfache Versorgungsspannung von 3 V bis 44 V, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker ON Semiconductor Serie MC33071/72/74, MC34071/72/74, NCV33072/74A sind in Einfach-, Zweifach- und Vierfachkonfigurationen erhältlich. Sie bieten ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 4,5 MHz, 13 V/μs Anstiegsgeschwindigkeit und eine kurze Ausregelzeit ohne den Einsatz von JFET-Gerätetechnologie.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Kurze Ausregelzeit: 1,1 μs bis 0,1 %
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Operationsverstärker, ON Semiconductor
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