Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOT-23, einzeln typ. 3 V, 5 V, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 537-9597
- Herst. Teile-Nr.:
- LMP2011MF/NOPB
- Hersteller:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 537-9597
- Herst. Teile-Nr.:
- LMP2011MF/NOPB
- Hersteller:
- Texas Instruments
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Verstärker-Typ | Präzision | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 V, 5 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 3MHz | |
| Flankensteilheit typ. | 4V/µs | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Rail to Rail | Rail-to-Rail Ausgang | |
| Spannungsverstärkung typ. | 105 dB | |
| Breite | 1.6mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 35nV/√Hz | |
| Abmessungen | 2.92 x 1.6 x 1.02mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Verstärker-Typ Präzision | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 1 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 3 V, 5 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 3MHz | ||
Flankensteilheit typ. 4V/µs | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Rail to Rail Rail-to-Rail Ausgang | ||
Spannungsverstärkung typ. 105 dB | ||
Breite 1.6mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 35nV/√Hz | ||
Abmessungen 2.92 x 1.6 x 1.02mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Präzisions-Operationsverstärker, Texas Instruments
Eine Serie von Präzisions-Operationsverstärkern von Texas Instruments, die niedrige Eingangs-Offsetspannung und geringe Offset-Spannungsabweichung mit Temperatur bieten. Diese Geräte weisen stabile und vorhersehbare Betriebseigenschaften auf, die in vielen anspruchsvollen Anwendungen unverzichtbar sind. Die Eingangstypen CMOS und JFET verfügen außerdem über extrem niedrige Eingangsruheströme, weshalb sie sich ideal für den Einsatz in Schaltkreisen eignen, für die hohe Widerstandswerte erforderlich sind.
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