ROHM Operationsverstärker Oberfläche 8 MHz SSOP, biplor typ. 15V, biplor typ. 15 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-3786
- Herst. Teile-Nr.:
- BD77504FV-E2
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 8MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15V | |
| Slew Rate | 10V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 4 mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Eingangsruhestrom | 0.001 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | BD77504FV | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Ausgangsstrom | 7.5mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 0.001 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 8MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Minimale Versorgungsspannung 15V | ||
Slew Rate 10V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 4 mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Eingangsruhestrom 0.001 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie BD77504FV | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Ausgangsstrom 7.5mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 0.001 nA | ||
Der ROHM-Verstärker ist ein CMOS-Operationsverstärker mit vierfacher Erdungssensierung, ein breiter Betriebsspannungsbereich von 7 V bis 15 V. Dieser Operationsverstärker ist am besten geeignet für verschiedene Anwendungen, insbesondere Sensorverstärker usw., da er über eine hohe Slew-Rate und einen niedrigen Eingangs-Biasstrom verfügt. Außerdem hat der BD77504FV den Vorteil der EMI-Toleranz. Er erleichtert den Austausch durch herkömmliche Produkte oder vereinfacht das Design von elektromagnetischen Störungen. Darüber hinaus schwingt dieser Schaltkreis selbst bei einer Kapazität von mehreren nF nicht. Der Satzdesign ist möglich, ohne sich um Schwingungen aufgrund der Ausgangskapazität zu kümmern.
Integrierte Nano-Kappe OPAMP
Eingang und Ausgang sind bedienbare GND-Erfassung
Hohe Slew-Rate
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