STMicroelectronics Operationsverstärker Zwei Nutzungsmöglichkeiten SMD SO8, einzeln typ. 36 V, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
261-4766
Herst. Teile-Nr.:
TSB582IYDT
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Verstärker-Typ

Zwei Nutzungsmöglichkeiten

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SO8

Stromversorgungs-Typ

Single

Pinanzahl

8

Versorgungsspannung einzeln typ.

36 V

Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.

3.1MHz

Rail to Rail

Rail-to-Rail Ausgang

200 mA Ausgangsstrom mit thermischer Abschaltung und Ausgangsstrombegrenzung, 3,1 MHz, 36 V, BiCMOS-Doppeloperationsverstärker


TSB582 ist ein stabiler Dual-Operationsverstärker mit Verstärkungsfaktor Eins, der sowohl für hohe Spannungen als auch für hohe Ströme geeignet ist und über interne Schutzvorrichtungen gegen Übertemperatur und Stromüberlastung verfügt. Darüber hinaus verfügt TSB582 über eine verbesserte ESD- und RF-Störfestigkeit.
Das Produkt gibt typischerweise bis zu 200 mA pro Kanal aus, um niederohmige induktive Lasten wie Winkelresolver, Lineout-Kabel und Piezoaktoren zu treiben.
Die beiden Hochstrom-Ausgangsverstärker des TSB582 bieten den Vorteil, dass sie Lasten direkt in Brückenschaltung ansteuern können oder, parallel geschaltet, eine Verdopplung des Ausgangsstroms ermöglichen. Darüber hinaus ist TSB582 in zwei platzsparenden Gehäusen erhältlich: SO8 mit offenem Pad und DFN8 mit benetzbaren Flanken und offenem Pad. Beide sind für Automobilanwendungen in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C geeignet.

Hauptmerkmale


  • Breite Versorgungsspannung: 4 V bis 36 V

  • Hoher Ausgangsstrom 200 mA

  • Rail-to-Rail-Ausgang, Low-Rail-Eingang

  • Verstärkungsbandbreite Produkt: 3.1 MHz

  • Hohe Anstiegsrate: 2 V/μs

  • Interne thermische Abschaltung und Ausgangsstrombegrenzer

  • Verbesserte RF-Rauschimmunität

  • Hohe ESD-Toleranz: 4 kV HBM

  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C

  • Automotive-Qualität

  • Geringes Rauschen 45 nV/√Hz @ 1 kHz

  • Icc (typ.) = 2,3 mA

  • Einheitsverstärkung stabil

  • Niedriger Offset 2,4 mV max. (25 °C)/3 mV max. (voller Temperaturbereich)

  • Niedriger Eingangsvorspannungsstrom

  • Gehäuse: SO8 & DFN8 freiliegendes Pad

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