STMicroelectronics Operationsverstärker Rauscharm SMD SO, einzeln typ. 6 36 V, biplor typ. ±18V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 196-1444
- Herst. Teile-Nr.:
- TL072BIDT
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- TL072BIDT
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- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Verstärker-Typ | Rauscharm | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SO | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual, Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 6 36 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 4MHz | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±18V | |
| Flankensteilheit typ. | 16V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Eingangsspannung max. | 36 V, ±18 V | |
| Spannungsverstärkung typ. | 86 dB | |
| Offset Spannung | 13mV | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Eingangsspannung min. | 6 V | |
| Breite | 4mm | |
| Eingangsspannung Bereich | 6→ 36 V, ±18 V | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Offset-Eingangsstrom | 100pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Verstärker-Typ Rauscharm | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SO | ||
Stromversorgungs-Typ Dual, Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 6 36 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 4MHz | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±18V | ||
Flankensteilheit typ. 16V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Eingangsspannung max. 36 V, ±18 V | ||
Spannungsverstärkung typ. 86 dB | ||
Offset Spannung 13mV | ||
Höhe 1.5mm | ||
Eingangsspannung min. 6 V | ||
Breite 4mm | ||
Eingangsspannung Bereich 6→ 36 V, ±18 V | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Offset-Eingangsstrom 100pA | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die Serien TL072, TL072A und TL072B sind mit hoher Geschwindigkeit
Zweifach-Operationsverstärker mit JFET-Eingang
Mit gut angepasstem Hochspannungs-JFET
Und bipolare Transistoren in einem monolithischen integrierten
kreis
Die Geräte verfügen über hohe Anstiegsgeschwindigkeiten und einen niedrigen Eingang
Bias- und Offset-Strom und niedrige Offset-Spannung
Temperaturkoeffizient
Zweifach-Operationsverstärker mit JFET-Eingang
Mit gut angepasstem Hochspannungs-JFET
Und bipolare Transistoren in einem monolithischen integrierten
kreis
Die Geräte verfügen über hohe Anstiegsgeschwindigkeiten und einen niedrigen Eingang
Bias- und Offset-Strom und niedrige Offset-Spannung
Temperaturkoeffizient
Funktionen
- Große Gleichtakt- und Differentialspannungsbereiche
- Geringer Eingangsruhestrom und geringe Offset-Ströme
- Rauscharm en = 15 nV/√Hz (typ.)
- Ausgangs-Kurzschlussschutz
- JFET-Eingangsstufe mit hoher Eingangsimpedanz
- Geringe harmonische Verzerrung: 0,01 % (typisch) interne Frequenzkompensation
- Latch-Up-freier Betrieb
- Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 16 V/μs
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