STMicroelectronics Operationsverstärker Operationsverstärker SMD R-R SOT-23, einzeln typ. 1,8→ 5,5 V, 5-Pin

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RS Best.-Nr.:
189-2046
Herst. Teile-Nr.:
TSZ121IYLT
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Verstärker-Typ

Operationsverstärker

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOT-23

Stromversorgungs-Typ

Single

Anzahl der Kanäle pro Chip

1

Pinanzahl

5

Versorgungsspannung einzeln typ.

1,8→ 5,5 V

Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.

400kHz

Ausgangs-Typ

Rail-to-Rail

Flankensteilheit typ.

0.19V/µs

Arbeitsfrequenz max.

1 kHz

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Spannungsverstärkung typ.

135 dB

Offset Spannung

8µV

Rail to Rail

Rail-to-Rail In/Out

Ausgangsstrom

17 mA (Senke), 18 mA (Quelle)

Eingangsspannung max.

5,5 V

Automobilstandard

AEC-Q100

Abmessungen

3 x 1.75 x 1.3mm

Breite

1.75mm

Eingangsspannung min.

1,8 V

Länge

3mm

Höhe

1.3mm

Eingansspannungsrauschen typ.

60nV/√Hz

Eingangsspannung Bereich

1,8→ 5,5 V

Offset-Eingangsstrom

600pA

Die hochpräzisen Operationsverstärker der Serie TSZ12x bieten sehr niedrige Eingangsoffsetspannungen mit praktisch Nullpunktdrift. TSZ121 ist die Einzelversion, TSZ122 die Zweifach-Version und TSZ124 die Vierfach-Version, mit Pinbelegung, die mit Industriestandards kompatibel ist. Die Produktreihe TSZ12x bietet Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang, ein ausgezeichnetes Verhältnis von Geschwindigkeit und Stromverbrauch und ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 400 kHz bei einem Verbrauch von weniger als 40 μA bei 5 V. Die Geräte haben außerdem einen sehr niedrigen Eingangsruhestrom. Diese Eigenschaften machen die TSZ12x-Familie ideal für Sensorschnittstellen, batteriebetriebene Anwendungen und tragbare Anwendungen.

Sehr hohe Genauigkeit und Stabilität: Offset-Spannung 5 μV max. Bei 25 °C, 8 μV über den gesamten Temperaturbereich (-40 °C bis 125 °C)
Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang
Niedrige Versorgungsspannung: 1,8-5,5 V.
Niedriger Energieverbrauch: Max. 40 μA bei 5 V
Produkt-Bandbreite: 400 kHz
Hohe Toleranz gegenüber ESD: 4 kV HBM
Erweiterter Temperaturbereich: –40 bis 125 °C
Mikrogehäuse: SC70-5, DFN8 2x2 und QFN16 3x3

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