ROHM Operationsverstärker Hohe Geschwindigkeit, hohe Spannung SMD SSOP, einzeln typ. 3 → 36 V, biplor typ. ±1.5
- RS Best.-Nr.:
- 184-8707
- Herst. Teile-Nr.:
- BA3472FV-E2
- Hersteller:
- ROHM
50 lieferbar innerhalb von 5 Werktag(en) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
€ 0,58
(ohne MwSt.)
€ 0,70
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
10 - 40 | € 0,58 | € 5,80 |
50 - 90 | € 0,542 | € 5,42 |
100 - 490 | € 0,496 | € 4,96 |
500 + | € 0,445 | € 4,45 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 184-8707
- Herst. Teile-Nr.:
- BA3472FV-E2
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- DE
Informationen zur Produktgruppe
Die Familie BA3472/BA3474 umfasst zwei/vier unabhängige Operationsverstärker und Phasenkompensationskondensatoren auf einem einzigen Chip und weisen hohe Verstärkung, niedrigen Energieverbrauch und einen großen Betriebsspannungsbereich von +3 [V] ∼ +36 [V] (einfache Stromversorgung) auf. Besondere Eigenschaften sind die hohe Anstiegsgeschwindigkeit (10 V/μs) und die hohe Maximalfrequenz (4 MHz).
Mit einer einzigen Stromversorgung betreibbar
Großer Versorgungsspannungsbereich
+3,0 [V] ~ +36,0 [V] (Einzelversorgung)
±1,5 [V] ~ ±18,0 [V] (geteilte Versorgung)
Standardmäßige Stiftzuweisungen des Operationsverstärkers
Interne Phasenkompensation
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 10 [V/μs]
Maximale Frequenz: 4 [MHz]
Hohe Spannungsverstärkung im offenen Regelkreis
Interner ESD-Schutz
Modell des menschlichen Körpers (HBM) ±5000 [V] (typ.)
Mit niedriger Eingangsspannung um GND Stufe betreibbar
Breiter Ausgangsspannungsbereich VEE+0,3 [V] ~ VCC-1.0 [V] (Typ.) mit VCC-VEE = 30 [V]
Großer Versorgungsspannungsbereich
+3,0 [V] ~ +36,0 [V] (Einzelversorgung)
±1,5 [V] ~ ±18,0 [V] (geteilte Versorgung)
Standardmäßige Stiftzuweisungen des Operationsverstärkers
Interne Phasenkompensation
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 10 [V/μs]
Maximale Frequenz: 4 [MHz]
Hohe Spannungsverstärkung im offenen Regelkreis
Interner ESD-Schutz
Modell des menschlichen Körpers (HBM) ±5000 [V] (typ.)
Mit niedriger Eingangsspannung um GND Stufe betreibbar
Breiter Ausgangsspannungsbereich VEE+0,3 [V] ~ VCC-1.0 [V] (Typ.) mit VCC-VEE = 30 [V]
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Verstärker-Typ | Hohe Geschwindigkeit, hohe Spannung |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SSOP |
Stromversorgungs-Typ | Dual, Single |
Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
Pinanzahl | 8 |
Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 → 36 V |
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 4MHz |
Versorgungsspannung bipolar typ. | ±1.5 to ±18V |
Flankensteilheit typ. | 10V/µs |
Arbeitsfrequenz max. | 100 kHz |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | 85 °C |
Offset Spannung | 10mV |
Ausgangsstrom | 30 mA (Senke), 30 mA (Quelle) |
Eingangsspannung max. | 36 V, ±18 V |
Spannungsverstärkung typ. | 100 dB |
Höhe | 1.15mm |
Offset-Eingangsstrom | 75nA |
Breite | 3mm |
Länge | 4.4mm |
Eingangsspannung min. | 3 V, ±1,5 V |
Abmessungen | 4.4 x 3 x 1.15mm |
Eingangsspannung Bereich | ±1,5 → ±18 V, 3 → 36 V |