Microchip Operationsverstärker Precision, Zero Drift SMD MSOP, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-4089
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V62-E/MS
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Verstärker-Typ | Precision, Zero Drift | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 1,8 → 5,5 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 1MHz | |
| Flankensteilheit typ. | 0.45V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Offset Spannung | 8µV | |
| Rail to Rail | Rail-to-Rail In/Out | |
| Länge | 3mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 26nV/√Hz | |
| Breite | 3mm | |
| Abmessungen | 3 x 3 x 0.95mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Offset-Eingangsstrom | 200pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Verstärker-Typ Precision, Zero Drift | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 1 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 1,8 → 5,5 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 1MHz | ||
Flankensteilheit typ. 0.45V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Offset Spannung 8µV | ||
Rail to Rail Rail-to-Rail In/Out | ||
Länge 3mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 26nV/√Hz | ||
Breite 3mm | ||
Abmessungen 3 x 3 x 0.95mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Offset-Eingangsstrom 200pA | ||
- Ursprungsland:
- TH
Operationsverstärker MCP6V61/62/64
Die Produktfamilie Microchip MCP6V61/62/64 umfasst Operationsverstärker mit einer Eingangs-Offset-Spannungskorrektur für geringen Offset und geringe Offset-Drift.
Merkmale
1 MHz Bandbreitenprodukt
Zero-Drift-Architektur
Maximale Drift von 15 nV/C
Maximales Eingangsspannungs-Offset: 8 μV
Ruhestrom (IQ): 80 μA/Verstärker (typisch)
Netzteilunterdrückung (PSRR): min. 117 dB @ VDD 5,5 V
Gleichtaktunterdrückung (CMRR): min. 120 dB @ VDD 5,5 V
Kein 1/f-Rauschen
Verbesserte Abschirmung gegen elektromagnetische Störungen: 101 dB Unterdrückungsverhältnis für elektromagnetische Störungen (EMIRR) bei 1,8 GHz
Unity-Gain stabil
Zero-Drift-Architektur
Maximale Drift von 15 nV/C
Maximales Eingangsspannungs-Offset: 8 μV
Ruhestrom (IQ): 80 μA/Verstärker (typisch)
Netzteilunterdrückung (PSRR): min. 117 dB @ VDD 5,5 V
Gleichtaktunterdrückung (CMRR): min. 120 dB @ VDD 5,5 V
Kein 1/f-Rauschen
Verbesserte Abschirmung gegen elektromagnetische Störungen: 101 dB Unterdrückungsverhältnis für elektromagnetische Störungen (EMIRR) bei 1,8 GHz
Unity-Gain stabil
Operationsverstärker, Microchip
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