TSZ122IYDT STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 400 kHz SOIC, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 1.8 V, 8-Pin

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163-9794
Herst. Teile-Nr.:
TSZ122IYDT
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Operationsverstärker

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Kanäle

2

Pinanzahl

8

Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP

400kHz

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Minimale Versorgungsspannung

1.8V

Eingangsruhestrom

300 pA

Slew Rate

0.19V/μs

Vos - Eingangs-Offsetspannung

8 μV

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

TSZ122

Höhe

1.5mm

Ausgangsstrom

18mA

Automobilstandard

AEC-Q100

Offset-Eingangsstrom

0.6 nA

Die hochpräzisen Operationsverstärker der TSZ12x-Serie bieten sehr niedrige Eingangsoffsetspannungen, weitgehend ohne Drift. Bei TSZ121 handelt es sich um die einfache Version, bei TSZ122 um die zweifache Ausführung und bei TSZ124 um die vierfache Version mit für Industriestandards kompatiblen Anschlussdichten. Die Produktreihe TSZ12x bietet Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang, ein ausgezeichnetes Verhältnis von Geschwindigkeit und Stromverbrauch und ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 400 kHz bei einem Verbrauch von weniger als 40 μA bei 5 V. Die Geräte haben außerdem einen sehr niedrigen Eingangsruhestrom. Dank dieser Eigenschaften ist die TSZ12x-Produktfamilie ideal für Sensorschnittstellen, batteriebetriebene Anwendungen und mobile Anwendungen geeignet

Sehr hohe Genauigkeit und Stabilität: Offsetspannung max. 5 μV bei 25 °C, 8 μV über den gesamten Temperaturbereich (–40 °C bis 125 °C)Rail-to-Rail-Eingang und -AusgangNiedrige Versorgungsspannung: 1,8–5,5 VNiedriger Energieverbrauch: max. 40 μA bei 5 VVerstärkungs-Bandbreite-Produkt: 400 kHzHohe Toleranz gegenüber ESD: 4 kV HBMErweiterter Temperaturbereich: –40 bis 125 °CMikrogehäuse: SC70-5, DFN8 2x2 und QFN16 3x3

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