onsemi Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ. 3 → 9 V, biplor typ. ±3 V, ±5 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 122-0106
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33202DR2G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual, Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 → 9 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 2.2MHz | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±3 V, ±5 V | |
| Flankensteilheit typ. | 1V/µs | |
| Betriebstemperatur max. | +105 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Spannungsverstärkung typ. | 109,5 dB | |
| Rail to Rail | Rail-to-Rail In/Out | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 25nV/√Hz | |
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|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Stromversorgungs-Typ Dual, Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 3 → 9 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 2.2MHz | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±3 V, ±5 V | ||
Flankensteilheit typ. 1V/µs | ||
Betriebstemperatur max. +105 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Spannungsverstärkung typ. 109,5 dB | ||
Rail to Rail Rail-to-Rail In/Out | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 25nV/√Hz | ||
- Ursprungsland:
- CZ
Operationsverstärker MC33201/2/4, NCV33202/4, 12 V, rauscharm, erweiterter Eingangs- und Ausgangsspannungsbereich, hohe Stromtreiberfähigkeit, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker ON Semiconductor MC33201/2/4, NCV33202/4 bieten den Betrieb mit erweitertem Spannungsbereich an Eingang und Ausgang. Antriebseingänge bis zu 200 mV über die Versorgungsschienen hinaus ohne Phasenumkehrung an den Ausgängen, und der Ausgang kann innerhalb von 50 mV an jeder Schiene schwingen. Dieser Betrieb mit erweitertem Spannungsbereich ermöglicht die volle Ausnutzung des verfügbaren Versorgungsspannungsbereichs.
Verfahren zur Ausgangsstromerhöhung sorgen für eine hohe Ausgangsstrombelastbarkeit, während der Drain-Strom des Verstärkers minimal gehalten wird. Geringes Rauschen und geringe Verzerrung mit einer hohe Anstiegsgeschwindigkeit und Treiberfähigkeit machen sie ideal für Audioanwendungen.
Verfahren zur Ausgangsstromerhöhung sorgen für eine hohe Ausgangsstrombelastbarkeit, während der Drain-Strom des Verstärkers minimal gehalten wird. Geringes Rauschen und geringe Verzerrung mit einer hohe Anstiegsgeschwindigkeit und Treiberfähigkeit machen sie ideal für Audioanwendungen.
Niederspannungsbetrieb mit Einfachversorgung (+1,8 V und Masse auf +12 V und Masse)
Eingangsspannungsbereich umfasst beide Versorgungsschienen
Ausgangspannungsschwingen innerhalb von 50 mV an beiden Schienen
Keine Phasenumkehrung am Ausgang für Eingangssignale mit übermäßigem Antrieb
Hoher Ausgangsstrom (ISC = 80 mA, typisch)
Niedriger Versorgungsstrom (ID = 0,9 mA, typisch)
600 W Ausgangstreiberfähigkeit
Typisches Verstärkungs-Bandbreite-Produkt = 2,2 MHz
Eingangsspannungsbereich umfasst beide Versorgungsschienen
Ausgangspannungsschwingen innerhalb von 50 mV an beiden Schienen
Keine Phasenumkehrung am Ausgang für Eingangssignale mit übermäßigem Antrieb
Hoher Ausgangsstrom (ISC = 80 mA, typisch)
Niedriger Versorgungsstrom (ID = 0,9 mA, typisch)
600 W Ausgangstreiberfähigkeit
Typisches Verstärkungs-Bandbreite-Produkt = 2,2 MHz
Operationsverstärker, ON Semiconductor
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