- RS Best.-Nr.:
- 194-9093
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101Q3-SFXI
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101Q3-SFXI
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Cypress CY14V101Q3 kombiniert einen 1-Mbit-NVSRAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die QuantumTrap Zelle eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bietet. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) in das SRAM wiederhergestellt. Sowohl STORE- als auch RECALL-Vorgänge können vom Benutzer auch über SPI-Anweisung gestartet werden.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 1MBit |
Organisation | 128K x 8 bit |
Interface-Typ | SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 25ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 16 |
Abmessungen | 10.49 x 7.59 x 2.36mm |
Länge | 10.49mm |
Breite | 7.59mm |
Höhe | 2.36mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung min. | 3 V |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Anzahl der Wörter | 128K |