DiodesZetex DMT6016LSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.9 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 921-1177P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6016LSS-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT6016LSS | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.95mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT6016LSS | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.95mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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