DiodesZetex DMN10H099SFG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.8 A 2.31 W, 8-Pin PowerDI3333

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RS Best.-Nr.:
921-1041
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H099SFG-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DMN10H099SFG

Gehäusegröße

PowerDI3333

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.77V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.31W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.35mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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