DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.5 A 1.6 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 921-1010P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3016LSD-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 4.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 4.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||