STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 920-8830
Herst. Teile-Nr.:: STW42N65M5
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 920-8830
Herst. Teile-Nr.:: STW42N65M5
Hersteller:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M5
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	79 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	100 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

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