- RS Best.-Nr.:
- 920-0789
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN64N50P
- Hersteller:
- IXYS
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 61 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Serie | HiperFET, Polar |
Gehäusegröße | SOT-227 |
Montage-Typ | Schraubmontage |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 85 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5.5V |
Verlustleistung max. | 700 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 25.42mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Länge | 38.23mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 9.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 920-0789
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- IXFN64N50P
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