HEXFET IRF520NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 9,7 A, 48 W, TO-220AB 3-Pin
100 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
650 weitere lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)
€ 0,622
(ohne MwSt.)
€ 0,746
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | € 0,622 | € 31,10 |
| 100 - 200 | € 0,603 | € 30,15 |
| 250 - 450 | € 0,584 | € 29,20 |
| 500 + | € 0,559 | € 27,95 |
| *Bitte VPE beachten | ||
Im Warenkorb
- RS Best.-Nr.:
- 919-4876
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Hersteller:
- Infineon
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 9,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 48 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.54mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Breite | 4.69mm |
| Höhe | 8.77mm |
| Serie | HEXFET |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |