Microchip Einfach DN2625 N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 250 V Entleerung / 1.1 A, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 916-3725P
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2625DK6-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | DN2625 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie DN2625 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.04nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
DN2625 N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Der Microchip DN2625 ist ein Verarmungstyp-MOSFET-Transistor (normalerweise ein), der eine erweiterte vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.
Merkmale
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Entwickelt für Quellenantrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Entwickelt für induktive Lasten