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    Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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    906-4407P
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    IPT007N06NATMA1
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    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen

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    Informationen zur Produktgruppe

    Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.300 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeHSOF-8
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.375 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.58mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite10.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs216 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe2.4mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    SerieOptiMOS 5
    Diodendurchschlagsspannung1V
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