Infineon OptiMOS 3 IPB016N06L3 G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
906-2899
Herst. Teile-Nr.:
IPB016N06L3 G
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.31mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

125 nC @ 4,5 V

Breite

11.05mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine breite Palette industrieller Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und schnell schaltende DC-DC-Wandler eingesetzt werden.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS auf

Ideal für schnelle Schaltanwendungen

RoHS-konform

Höchste Systemeffizienz