Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 898-6870
Herst. Teile-Nr.:: IPB200N25N3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 14,35

(ohne MwSt.)

€ 17,22

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Auf Lager

Zusätzlich 2 264 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 +	€ 7,175	€ 14,35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 898-6870
Herst. Teile-Nr.:: IPB200N25N3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	20mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	64nC
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.57mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.45mm
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.57mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.45mm
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPB200N25N3GATMA1

Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt und verfügt über einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 64A und eine Nennspannung von 250V. Sein robustes thermisches Verhalten und sein niedriger Durchlasswiderstand tragen zu einer effektiven elektrischen Leistung über einen weiten Temperaturbereich bei und machen ihn für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung geeignet.

Eigenschaften und Vorteile

• Optimales Produkt aus Gate-Ladung und RDS(on) erhöht die Effizienz

• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Betriebstemperaturen bis zu +175°C ermöglichen vielfältige Anwendungen

• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung

• Kompaktes D2PAK-Design und Oberflächenmontage erleichtern die Integration

• Qualifiziert nach JEDEC für Zuverlässigkeit in Zielanwendungen

Anwendungsbereich

• Einsatz in Stromversorgungen für Automatisierungssysteme

• Geeignet für hocheffiziente Umrichter für erneuerbare Energien

• Eingesetzt in der Motorsteuerung von Industriemaschinen

• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Tischnetzteilen

• Anwendung in Elektrofahrzeugen für ein effektives Energiemanagement

Welche Maßnahmen sollten ergriffen werden, um eine optimale Leistung während der Installation zu gewährleisten?

Es ist wichtig, ein effektives Wärmemanagementsystem zu unterhalten, um die Wärme abzuleiten und sicherzustellen, dass das Gerät innerhalb der angegebenen Temperaturgrenzen arbeitet.

Kann dieses Bauteil in Anwendungen eingesetzt werden, die ein schnelles Umschalten erfordern?

Ja, er eignet sich aufgrund seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenzanwendungen wie DC-DC-Wandler und Treiber.

Gibt es ein bestimmtes Schaltungsdesign, das für eine optimale Nutzung empfohlen wird?

Eine geeignete Gate-Treiberschaltung kann die Leistung verbessern, insbesondere in Bezug auf die Ein- und Ausschaltzeiten, was zur Verringerung der Schaltverluste beiträgt.

Was ist bei den Umweltbedingungen während des Betriebs zu beachten?

Achten Sie darauf, dass die Umgebungstemperaturen innerhalb der Betriebsgrenzen von -55°C bis +175°C bleiben, um eine thermische Schädigung zu vermeiden.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei hoher Belastung?

Er bewältigt effizient einen kontinuierlichen Drain-Strom von 64A bei gleichzeitig niedrigem On-Widerstand, wodurch die Überhitzung reduziert und die Zuverlässigkeit unter Last verbessert wird.