DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 35 V Erweiterung / 9.6 A 8.9 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 885-5482P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG4511SK4-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 35V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.9W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101 | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 35V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.9W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101 | ||
Höhe 2.39mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||