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TP2104N3-G P-Kanal MOSFET, 40 V / 175 mA, 740 mW, TO-92 3-Pin


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TP2104N3-G
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Microchip
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Supertex P-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET-Transistoren



EigenschaftWert
Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.175 mA
Drain-Source-Spannung max.40 V
GehäusegrößeTO-92
Montage-TypDurchsteckmontage
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.10 Ω
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Verlustleistung max.740 mW
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Transistor-WerkstoffSi
Breite4.06mm
Höhe5.33mm
Diodendurchschlagsspannung2V
Betriebstemperatur min.-55 °C
Betriebstemperatur max.+150 °C
Länge5.08mm