STMicroelectronics STripFET F6 STP120N4F6 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 80 A 110 W, 3-Pin TO-220

Nicht verfügbar
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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
877-2955P
Herst. Teile-Nr.:
STP120N4F6
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4, 3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.6mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

STripFET F6

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Ursprungsland:
MA

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