STMicroelectronics Einfach MDmesh M2 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 12 A 110 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5691P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP18N65M2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- STP18N65M2
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmeshTM Serie M2, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer niedrigen Gate-Ladung und ihren ausgezeichneten Ausgangskapazitätseigenschaften eignet sich die MDmesh M2-Serie perfekt für den Einsatz in Schaltnetzteilen des Resonanztyps (LLC-Wandler).