onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 156 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 864-8483P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86350
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 28,25
(ohne MwSt.)
€ 33,90
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 698 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 98 | € 2,825 |
| 100 - 248 | € 2,285 |
| 250 - 498 | € 2,195 |
| 500 + | € 2,02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-8483P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86350
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 6.25mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 6.25mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.