PowerTrench FDD2572_F085 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 29 A
Drain-Source-Spannung max. 150 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 146 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 135 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 6.73mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V
Breite 6.22mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie PowerTrench
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 2.39mm
850 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
0,811
(ohne MwSt.)
0,973
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40
€ 0,811
€ 8,11
50 - 190
€ 0,69
€ 6,90
200 - 490
€ 0,609
€ 6,09
500 +
€ 0,558
€ 5,58
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