Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-252

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830-3341
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-476
Herst. Teile-Nr.:
IRLR024NTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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