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    Microchip LND150N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 30 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

    RS Best.-Nr.:
    829-3253P
    Herst. Teile-Nr.:
    LND150N8-G
    Hersteller:
    Microchip
    Microchip
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    Voraussichtlich ab 5.9.2023 verfügbar.
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    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


    Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

    Merkmale


    Hohe Eingangsimpedanz
    Niedrige Eingangskapazität
    Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedriger Eingangs- und Leckstrom

    Typische Anwendungen:


    Schließerschalter
    Halbleiterrelais
    Wandler
    Lineare Verstärker
    Konstantstrom-Quellen
    Netzteilschaltungen
    Telekommunikation


    MOSFET-Transistoren, Microchip

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.30 mA
    Drain-Source-Spannung max.500 V
    GehäusegrößeTO-243AA
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl4
    Drain-Source-Widerstand max.1 kΩ
    Channel-ModusDepletion
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Verlustleistung max.1,6 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge4.6mm
    Breite2.6mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe1.6mm
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