Kürzlich gesucht

    Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

    RS Best.-Nr.:
    829-3250P
    Herst. Teile-Nr.:
    LND150N3-G
    Hersteller:
    Microchip
    Microchip
    Alle MOSFET anzeigen
    Voraussichtlich ab 12.4.2023 verfügbar.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro Stück (geliefert in Beutel)

    € 0,611

    (ohne MwSt.)

    € 0,733

    (inkl. MwSt.)

    StückPro Stück
    40 - 80€ 0,611
    100 +€ 0,548
    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    829-3250P
    Herst. Teile-Nr.:
    LND150N3-G
    Hersteller:
    Microchip

    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


    Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

    Merkmale


    Hohe Eingangsimpedanz
    Niedrige Eingangskapazität
    Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedriger Eingangs- und Leckstrom

    Typische Anwendungen:


    Schließerschalter
    Halbleiterrelais
    Wandler
    Lineare Verstärker
    Konstantstrom-Quellen
    Netzteilschaltungen
    Telekommunikation

    Der Microchip LND150 N-Kanal-Abarmungsmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt die seitliche DMOS-Technologie. Das Tor ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schließer, Präzisions-Konstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und -verstärkung. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 500 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 1 kΩ.

    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
    Einfacher Parallelbetrieb
    Ausgezeichnete Temperaturstabilität
    Integrierte Source-Drain-Diode
    Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
    Frei von Blei (Pb)
    3-adriges TO-92-Gehäuse


    MOSFET-Transistoren, Microchip

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.30 mA
    Drain-Source-Spannung max.500 V
    GehäusegrößeTO-92
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.1 kΩ
    Channel-ModusDepletion
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Verlustleistung max.740 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite4.19mm
    Länge5.2mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe5.33mm
    Voraussichtlich ab 12.4.2023 verfügbar.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro Stück (geliefert in Beutel)

    € 0,611

    (ohne MwSt.)

    € 0,733

    (inkl. MwSt.)

    StückPro Stück
    40 - 80€ 0,611
    100 +€ 0,548
    Verpackungsoptionen: