Toshiba TK N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-6230P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK56A12N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.5mm | |
| Länge | 10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie TK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.5mm | ||
Länge 10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN