- RS Best.-Nr.:
- 827-6179P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
Alternative
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- RS Best.-Nr.:
- 827-6179P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-220SIS |
Serie | TK |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 15 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
Länge | 10mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-6179P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Hersteller:
- Toshiba