Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 827-6160
Herst. Teile-Nr.:: TK20E60W,S1VX(S
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 827-6160
Herst. Teile-Nr.:: TK20E60W,S1VX(S
Hersteller:: Toshiba

TK20E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	165 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.16mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.45mm
Höhe	15.1mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220

MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba

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