Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 827-3896P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7832TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 155°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 155°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 20 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF7832TRPBF
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für industrielle Umgebungen geeignet ist, und lässt sich in Standard-SOIC-Abmessungen für die Leiterplattenmontage integrieren. Es bietet ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und überschaubarer Verlustleistung für Bauformen mit mittlerer Leistung.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4,8 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• 20 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• 30 V Drain-Source-Nennleistung für gängige Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 34 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsstufen
• 20 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• 30 V Drain-Source-Nennleistung für gängige Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 34 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsstufen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Motorantriebs-Leistungsschalter in kompakter Bauweise
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Ideal für Motorantriebs-Leistungsschalter in kompakter Bauweise
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung
Welchen thermischen Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 155 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen industriellen Temperaturbedingungen.
Wie viele Pins bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?
Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das die Platzierung in der Standardabmessung und die thermische Ausbreitung unterstützt.
Welche Gate-Antriebsaspekte ergeben sich aus der Gate-Ladung?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 34 nC müssen die Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Antriebsverluste zu erreichen.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Reihenschaltung aus?
Die gemessene Durchlassspannung von 1 V wirkt sich auf den Abfall der intrinsischen Dioden-Ereignisse aus und sollte bei der Entwicklung einer Rückwärtserholung oder einer Body-Diode-Leitung berücksichtigt werden.