Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 826-9279P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP322PH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.5mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.5mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP322PH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochspannungs-P-Kanal-Schaltvorgänge, bei denen eine kompakte Gehäuseform und Robustheit in Automobilqualität erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 800 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige bis moderate Ströme
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W ermöglicht eine stabile Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 12,4 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V sorgt für sicheren Antriebsspielraum
• 800 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige bis moderate Ströme
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W ermöglicht eine stabile Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 12,4 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V sorgt für sicheren Antriebsspielraum
Anwendungsbereich
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Kfz-Elektronikmodulen
• Ideal für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Wird für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen verwendet
• Kann zur Vermeidung von Rückstrom in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Wird für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen verwendet
• Kann zur Vermeidung von Rückstrom in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsumwandlungsstufen
Welchen Temperaturbereich kann er im Feld vertragen?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich daher für raue thermische Umgebungen.
Wie viele Stifte und Montagearten sollten Designer erwarten?
Das Gerät verfügt über vier Pins und ist für die Oberflächenmontage in einer SOT-223-Grundfläche vorgesehen.
Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen die Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit?
Die Gate-Ladung von 12,4 nC zeigt die am Gate erforderliche Ladung an und informiert über die Auswahl von Gate-Treibern und Antriebszeit.
Welche mechanischen Ummantelungsabmessungen sind für die Layout-Planung wichtig?
Die Komponente misst 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, was die Grundfläche und den Abstand erleichtert.